2025 年 4 月

美國記憶體廠商Rambus發表全球首款3D堆疊GDDR7晶片，單顆頻寬達2.1TB/s，功耗較HBM2E降低35%。此技術結合TSV（矽通孔）與混合鍵合工藝，可疊加八層記憶體晶粒，目…

台積電2奈米（N2）制程良率已提升至60%，預計2025年底進入量產階段，首波產能將優先供應蘋果A19處理器及英偉達Blackwell架構GPU。該制程採用GAAFET（環繞柵極）技…

日本半導體設備大廠Tokyo Electron宣布，將在印度班加羅爾興建第二座研發中心，專注於3D封裝設備與GAA製程技術開發，總投資額達1,200億日圓。該中心將與當地ISRO…

塔塔集團宣布將在古吉拉特邦興建晶圓廠與封裝測試中心，首期投資20億美元用於28奈米成熟製程，後續擴展至14奈米。該集團已與蘋果簽訂意向書，承諾2027年供應iPhon…

ASML正式將首台0.55NA高解析度EUV微影機交付給Intel，用於2奈米以下制程研發。該機台採用多光束干涉技術，解析度達8nm，單台價格高達3.5億美元。業界預測，Intel…

英偉達與台積電、新思科技合作開發的cuLitho計算光刻技術正式投入量產，透過AI強化光刻模組設計，將晶圓曝光效率提升40%。此技術已應用於3奈米N3E製程，幫助客戶…

台積電於美國亞利桑那州技術研討會發布革命性「系統級晶圓整合-X」（SoW X）技術，可將16顆邏輯晶片、HBM記憶體及光互連模組集成於單一餐盤大小封裝，功率支援達…

韓國三星與SK海力士宣布，針對AI服務器的HBM3記憶體已進入量產階段，單顆容量達24GB，功耗較前代降低20%。初期產能全數預訂給輝達、AMD等大廠，價格較傳統GDDR顯…

荷蘭ASML最新高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機首發訂單遭搶訂一空，單機價格達3.4億美元，交貨期從原訂18個月延長至24個月。此設備可支援2奈米以下製程，但僅台積…

輝達最新MI300X AI加速卡成功應用於美國太空總署（NASA）量子計算模擬項目，將分子動力學模擬速度提升1.8萬倍。此晶片整合192GB HBM3記憶體與第五代NVLink技術，…