義大利法蘭西半導體（STMicroelectronics）今（5）日與新加坡科技研究局（A*STAR）聯合宣布，將共同投資10億新元（約合76億新台幣）建設碳化硅（SiC）先進技術研發中心。該中心位於新加坡科學園，預計2026年第二季度投入使用，重點研究8英寸碳化硅襯底製造與功率器件設計技術，目標2028年實現8英寸碳化硅襯底的量產化。
意法半導體功率器件事業部總裁馬西莫·馬斯特拉基表示，碳化硅器件在新能源汽車與可再生能源領域的需求呈爆發式增長，8英寸襯底可使芯片產量提升40%，同時降低單位成本25%，是產業發展的必然趨勢。新加坡A*STAR將提供先進的材料分析與制程模擬技術支持，雙方計劃每年投入2億新元用於研發，並從全球招聘300名頂尖研發人才，其中包括20名來自台灣的碳化硅技術專家。
台灣碳化硅業者面臨挑戰與機遇，天岳先進的8英寸碳化硅襯底已進入樣品驗證階段，但與意法半導體相比仍存在技術代差；台半則在碳化硅芯片測試領域取得突破，有望成為該研發中心的合作夥伴。業界分析指出，2025年全球碳化硅產業正式進入8英寸產能轉換階段，意法半導體、安森美等國際大廠紛紛加大投入，台灣廠商需加快研發進度，或透過與國際大廠合作切入供應鏈，避免被邊緣化。