法國核聚變技術突破 開發新型半導體材料
法國原子能委員會(CEA)宣布成功研發「鎢鈷複合材料」,耐高溫達5,000°C,適用於核聚變反應爐第一壁。該技術將與意法半導體合作量產,預計2027年應用於國際熱核…
法國原子能委員會(CEA)宣布成功研發「鎢鈷複合材料」,耐高溫達5,000°C,適用於核聚變反應爐第一壁。該技術將與意法半導體合作量產,預計2027年應用於國際熱核…
日立製作所與東京電力合作,推出全球首款10微米線寬AI載板,信號延遲降至0.3ps/mm,支援HBM4堆疊。該技術將應用於輝達下一代B100晶片,預計2026年量產。業界分析…
台積電宣布2025年第二季啟動2奈米晶圓代工量產,採用環繞式柵極(GAA)技術,良率突破85%。蘋果A19 Pro晶片與輝達H200 AI加速器已預訂首波5,000片月產能,預計第…
美國商務部宣布取消拜登時期AI晶片出口管制,改以「國家分類」制度管理。輝達同步推出「H200 Lite」特供版,顯存從96GB砍至48GB,算力調降30%,但支援PCIe 5.0介…
三星電子宣布3奈米GAA製程良率從55%提升至70%,將於第二季底量产。首批客戶包括谷歌TPU v6與AMD Instinct MI400系列,單月供應量達15萬片。公司預測,2025年AI相…
塔塔電子與美光合作,在古吉拉特邦興建首座12吋晶圓廠,專攻車用與IoT晶片。印度政府提供70%土地補貼與稅務減免,目標2027年量產18奈米制程。經濟學人分析,此舉…
英特爾宣布Intel 18A(等效2奈米)製程通過微軟Azure與Google Cloud驗證,將用於下一代AI伺服器晶片。該制程導入RibbonFET電晶體與PowerVia供電技術,單片晶圓成…
艾司摩爾(ASML)宣布荷蘭維爾森工廠擴建完成,極紫外光(EUV)光刻機年產能從80台提升至112台。其中,NXE:3800E機型佔比達60%,支援3奈米以下制程。公司CEO Pete…
SIA(半導體協會)數據顯示,2025年第一季全球半導體銷售達1,677億美元,年增18.8%。美洲地區受AI伺服器與車用晶片驅動,銷售額暴增45.3%至356億美元,首次超越亞…
美國貿易代表署提案對進口晶片加徵25%關稅,台積電、聯電等廠商受波及。業界消息指出,台廠已啟動「中國+東南亞」雙生產基地策略,力晶積成將12吋晶圓廠遷移至越…