會議預告：ICSCRM 2026（國際碳化矽與相關材料會議）
時間：2026年9月20日 – 25日
地點：美國聖地牙哥會議中心
ICSCRM 是全球化合物半導體領域最具影響力的學術與產業交流平台。2026年會議將聚焦碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）以及第四代半導體氧化鎵（Ga₂O₃）的最新進展。
會議亮點：
- 8吋SiC襯底量產技術：Wolfspeed、II-VI、天科合達發表最新成果
- 氧化鎵專場：日本NICT、中國富加镓業、杭州镓仁展示8英寸氧化鎵襯底進展[citation:2]
- 車用SiC模組可靠性論壇：特斯拉、比亞迪、ST探討電動車應用挑戰
- 垂直GaN器件技術：AVIC、英諾賽科分享最新突破
會議期間也將舉辦產業展覽，匯聚全球化合物半導體設備、材料與製造廠商。