東京訊—日本半導體新貴Rapidus近日在產業論壇中首次公開2nm工藝核心數據，其代號「2HP」的工藝邏輯密度達237.31 MTr/mm²，與台積電N2工藝的236.17 MTr/mm²幾乎持平，更大幅領先英特爾18A工藝的184.21 MTr/mm²，標誌著日本在先進製程領域實現關鍵突破。Rapidus技術長佐伯浩表示，2HP工藝採用G45間距、138單位高度的高密度單元庫，透過單晶圓前端工藝優化，在小批量生產階段即可實現與台積電相當的密度表現，目前已完成關鍵層光刻驗證，計畫2026年第一季度向客戶提供PDK（物理設計套件），2028年實現量產。業界透露，英偉達已與Rapidus達成初步合作意向，有意將部分高端AI晶片訂單導入2HP工藝，以降低對台積電的依賴。Rapidus的突破得益於日本政府的全力支持，自2023年成立以來，已獲得政府1.2萬億日元專項研發資金，並與東京工業大學、筑波大學共建先進製程實驗室。不過，挑戰依然存在，Rapidus目前員工僅1200人，不足台積電的1/50，且光刻機等核心設備仍依賴ASML供應。TrendForce分析師林建宏指出，Rapidus的2HP工藝在邏輯密度上實現趕超，但量產能力與成本控制將是決勝關鍵，若能順利導入英偉達訂單，將重塑全球先進製程競爭格局。