首爾暨河內訊—韓國記憶體巨頭SK海力士今日與越南政府簽署合作協議，將投資10億美元擴建位於越南北寧省的HBM（高頻寬記憶體）封測廠，項目完成後該廠HBM封測產能將從每月10萬顆提升至20萬顆，成為全球最大的HBM封測基地。此次擴建將重點引進先進的3D堆疊封測技術，透過TSV（矽通孔）工藝實現記憶體顆粒的立體堆疊，可將HBM2E產品的頻寬提升至460GB/s，較現有產品增長20%，同時降低15%的功耗。SK海力士副總裁朴正浩表示，越南廠的HBM封測產品將優先供應英偉達、AMD等AI晶片客戶，目前已收到英偉達2026年全年15萬顆的訂單，占擴建後產能的75%。為保障產能順利釋放，SK海力士與越南河內科技大學合作開設「HBM封測技術培訓班」，計畫2026年前培養800名專業技術人員，並將廠區員工年薪提高至2.2萬美元，較當地同行高出30%。越南工業貿易部副部長陳國俊表示，政府將為該項目提供廠房建設補貼、進口設備關稅豁免等優惠政策，並協助解決廠區用電需求，目標將越南打造成全球HBM產業的核心封測樞紐。業界數據顯示，2025年全球HBM市場規模達180億美元，年增率高達200%，其中SK海力士占據45%的市場份額，此次產能擴張將進一步拉開與三星、美光的差距。TrendForce分析師林志偉指出，HBM作為AI伺服器的核心元件，供應緊張態勢將持續至2027年，SK海力士的產能擴張有望緩解市場缺口，但也將加劇記憶體產業的供需分化，傳統DDR5記憶體可能面臨過剩壓力。