高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）是ASML推出的新一代微影設備，數值孔徑從0.33提高到0.55，是實現2nm以下節點單次曝光的關鍵技術[citation:7]。
為什麼需要High-NA EUV？
隨著製程微縮至2nm以下，傳統0.33 NA EUV需要多重圖案化才能刻出所需線路，步驟繁雜、成本高昂、良率受影響。High-NA EUV的更高解析度可實現單次曝光，大幅簡化製程。
IBM的最新進展：在2026年SPIE先進光刻與圖案化會議上，IBM研究院展示了一系列High-NA EUV技術突破。IBM研究人員證明，通過偏振控制、隨機風險降低、下一代掩膜和光刻膠等多種技術的融合，可實現將圖案化和邊緣位置誤差擴展到2nm節點以外所需的能力[citation:7]。
關鍵技術挑戰：
- 偏振控制：研究顯示橫向電場（TE）偏振照明在實現穩定高質量成像方面具有強大價值[citation:7]
- 隨機風險降低：隨機噪聲在先進節點推動線寬粗糙度和局部關鍵尺寸均勻性挑戰[citation:7]
- 光刻膠創新：需要下一代材料來實現50nm以下間距的低頻和整體粗糙度降低[citation:7]
High-NA EUV設備單台價格超過3億美元，英特爾是首批客戶，用於18A及後續製程；台積電和三星也計劃在2nm以下節點導入。