氧化鎵（Ga₂O₃）是第四代半導體的核心代表之一，屬於超寬禁帶半導體材料。
基本特性：
- 禁帶寬度達4.9eV，遠高於碳化矽的3.25eV和氮化鎵的3.4eV
- 臨界擊穿電場高達8MV/cm，是碳化矽的3倍多
- 巴利加優值達到3444，分別是氮化鎵的4倍、碳化矽的10倍
- 功率損耗僅為碳化矽的1/7、矽的1/49
應用場景：
- 新能源車快充：大幅提升能源轉換效率，降低充電損耗
- 光伏逆變器：使能源損耗較矽基降低50%以上
- 智能電網、工業電源等高壓場景
- 日盲紫外探測：對200-280nm紫外光高靈敏度，適用於火災預警、電暈探測
技術挑戰：氧化鎵存在高溫下易分解、易開裂的特性，大尺寸產品製備難度極大。
最新進展：中國杭州镓仁半導體已推出8英寸氧化鎵單晶襯底，富加镓業6英寸產線預計2026年底實現年產萬片。