三星電子今（6）日在京畿道器興工廠舉行量產典禮，正式宣布全球首款3奈米制程GDDR7存儲器投產，該產品專為AI服務器與高性能計算設備設計，單顆容量達32GB，數據傳輸速率達100 Gbps，較現有GDDR6X產品提升66%，將供應輝達、英偉達等核心客戶。三星存儲器事業部總裁韓宗熙表示，GDDR7的量產將進一步拉開與美光、海力士的技術差距。
據了解，三星GDDR7採用先進的3奈米堆疊技術，堆疊層數達24層，較GDDR6X增加8層，同時通過新型信號調製技術降低功耗30%。三星已在器興工廠建設兩條專用產線，初期月產能為8萬顆，2026年第一季度將擴增至15萬顆，預計該產品年銷售額將突破80億美元。與此同時，三星還宣布與輝達達成合作，為其H200 GPU定製開發64GB版本的GDDR7存儲器，預計2026年第二季度量產。
台灣供應鏈間接受益，南電的存儲器封裝基板供貨率達三星的35%，隨著GDDR7量產，預計該業務營收將增長40%；台達電的存儲器測試設備通過三星認證，獲得首批供應訂單；和碩則負責部分GDDR7模組的組裝業務。業界分析指出，AI服務器的算力暴增推動高帶寬存儲器需求，2026年全球GDDR7市場規模有望突破120億美元，三星的技術突破將進一步鞏固其在高端存儲器市場的壟斷地位。台灣廠商可聚焦封裝基板、測試設備等配套領域，分享產業增長紅利。