【綜合報導】日本東京電子（TEL）於橫濱舉行的半導體設備展中，公布針對3奈米及以下先進制程的蝕刻設備優化方案，該方案透過新型等離子體源技術與AI工藝控制系統升級，將蝕刻精度誤差壓縮至0.5奈米以內，生產效率較現有設備提升40%以上。東京電子製造事業部總裁佐藤健司表示，相關技術已通過台積電竹科先進制程廠的驗證，將優先用於3奈米量產線增建及2奈米研發計畫。
此次優化的核心在於原子級精准控制技術，透過調整等離子體密度分布與反應腔壓力穩控系統，解決先進制程中多層堆疊結構的加工不均問題。搭配升級的AI監控模組，可實時捕捉蝕刻過程中的參數波動，將良率穩定在99%以上，同時降低20%的能耗與15%的化學品消耗。東京電子已啟動千葉工廠的擴建工程，預計新增月產能15台先進設備，台積電確認獲得首批供貨權。
台灣供應鏈深度參與配套體系，上銀科技為該設備提供高精度線性馬達與導軌，憑藉1奈米級重複定位精度成為核心供應商；台達電開發的專用電源管理模組，透過高效率轉換技術降低設備運行溫度；中砂的高純度石英部件則通過長壽命測試，進入量產供應清單。業界分析指出，全球先進制程設備需求持續攀升，東京電子此波技術升級將鞏固其在蝕刻領域的市場地位，而台灣廠商的深度參與，更凸顯在全球半導體設備供應鏈中的關鍵角色。