SK海力士HBM4量產時程提前半年科技新訊2025年6月12日news 為搶攻英偉達GB200晶片供應，SK海力士宣布HBM4將於9月提前量產，採用台積電3奈米制程，堆疊層數增至16層，單顆容量突破24GB。三星緊追其後，宣布與微軟簽訂獨家供應協議，將在平澤P3廠擴建HBM4專用產線。記憶體市場復甦腳步加快，Q2合約價季漲15%。
