三星2nm GAA工藝良率突破70%!搶攻HBM4市場

三星電子宣布,其2nm GAA(繞柵極)製程良率從55%提升至70%,並計劃本季末向英特爾、高通交付首批樣品。此技術將用於下一代Exynos 2500行動晶片及HBM4高頻寬記憶體。值得注意的是,三星宣布將跳過3nm直接進軍2nm,主因是GAA架構在AI晶片領域的競爭優勢。業界分析,此舉可能迫使台積電加速N2P研發,兩岸晶圓代工價格戰一觸即發 。

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