三星2nm GAA工藝良率突破70%！搶攻HBM4市場

三星電子宣布，其2nm GAA（繞柵極）製程良率從55%提升至70%，並計劃本季末向英特爾、高通交付首批樣品。此技術將用於下一代Exynos 2500行動晶片及HBM4高頻寬記憶體。值得注意的是，三星宣布將跳過3nm直接進軍2nm，主因是GAA架構在AI晶片領域的競爭優勢。業界分析，此舉可能迫使台積電加速N2P研發，兩岸晶圓代工價格戰一觸即發 。