ASML新一代EUV光刻機進駐三星

ASML今日確認，已向三星交付首台High-NA EUV光刻機（型號NXE:3800E），用於3nm制程量產。此設備光刻解析度達1.5nm，可支援GAA架構晶片製造。三星晶圓事業部社長慶桂顯表示，透過新機台將3nm良率從65%提升至80%，並計劃年底前將EUV曝光機數量擴增至70台。此舉將直接影響台積電在先進製程的市占率 。