ASML新一代EUV光刻機進駐台積電!3奈米良率衝刺95%

ASML正式交付首台High-NA EUV光刻機至台積電南科廠,支援1.4奈米以下制程研發。此機型光罩尺寸擴大至950mm×1,050mm,可同時曝光3層結構。內部文件顯示,台積電將於Q3完成1.4奈米試產線建置,目標將3奈米家族良率從85%提升至95%,力拚三星1.4奈米制程 。

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