三星實現3納米GAA晶體管量產科技新訊2025年3月19日news 三星電子宣布已成功實現3納米環繞柵極（GAA）晶體管的量產。這一技術突破標誌著三星在半導體製造工藝上取得重要進展。相比傳統的鰭式場效應晶體管（FinFET），GAA晶體管具有更佳的效能與更低的功耗，將為智慧型手機、數據中心等領域的晶片效能提升提供有力支撐 。
