SK海力士加速投資HBM4設備,2026年進駐龍仁晶圓廠

SK海力士為鞏固高頻寬記憶體(HBM)市場主導地位,正加快投資腳步,預計11月起為12層HBM4產品訂購設備,並於2026年初導入龍仁市新建晶圓廠。此舉是為了滿足輝達、AMD等客戶對下一代AI晶片的高速記憶體需求,業界預估HBM4將較現行HBM3E頻寬再提升50%以上。同時,SK海力士計劃在龍仁園區興建四座大型晶圓廠,首座已於2025年2月動工,目標2027年5月投產。市場研究機構TrendForce指出,2025年第三季全球存儲市場規模創歷史新高達584.59億美元,DRAM價格同比飆漲171.8%,且AI伺服器對DDR5、HBM的強勁需求恐導致DDR4等傳統記憶體供應短缺,漲價潮將延續至2026年。SK海力士的擴產計畫反映韓國業者對AI驅動的存儲長週期樂觀,並透過技術領先拉大與美光、三星的差距 。

發佈留言

發佈留言必須填寫的電子郵件地址不會公開。 必填欄位標示為 *

error: Content is protected !!