技術領域：2奈米 GAA 製程設計與 EDA 工具演進
台積電 2 奈米製程將於 2026 年第四季量產，採用 GAA（全環繞閘極）奈米片電晶體架構及背面供電網絡（BSPDN）。這對晶片設計流程帶來全新挑戰：包含電熱耦合效應、奈米片寬度優化、背面電源網絡的寄生參數提取，以及 3D 堆疊（SoIC）整合的協同模擬，設計複雜度較 FinFET 世代大幅提升。
全球 EDA 三巨頭——新思科技（Synopsys）、益華電腦（Cadence）及西門子 EDA（Siemens EDA）——已與台積電深度合作，推出完整支援 GAA 與 BSPDN 的設計流程。新思科技率先推出 2 奈米設計簽核（sign-off）平台，整合電熱模擬與可靠度分析；益華電腦則強化其 Virtuoso 平台，支援奈米片參數化單元（PCell）設計；西門子 EDA 則專注於 3D IC 熱分析與多物理場模擬。
法人指出，EDA 工具角色日益關鍵，台系設計服務業者創意電子（3443-TW）、世芯-KY（3661-TW）因與 EDA 大廠及台積電緊密合作，可望率先掌握 2 奈米設計能力，搶攻 AI、HPC 高階 ASIC 訂單。