動向分析：SK海力士本週末在官方技術部落格低調披露次世代HBM4E的初步藍圖
SK海力士近日低調釋出HBM4E的部分規格細節，相較於今年下半年量產的HBM4，HBM4E將進一步堆疊至16層以上，單顆容量提升至64GB，頻寬上看7.2TB/s，預計採用更先進的混合鍵合（Hybrid Bonding）技術。該產品瞄準NVIDIA 2027年的次世代AI平台（代號「Rubin Ultra」），目前已進入聯合開發階段。
業界解讀，HBM4E的提前曝光象徵記憶體大廠間的軍備競賽升溫，三星與美光料將跟進發表對應規格。對台系供應鏈而言，HBM4E所需的高階測試介面、老化測試（Burn-in）設備及探針卡需求將較目前倍增，旺矽（6223-TW）、精測（6510-TW）、雍智（6683-TW）等廠商長線利多明確。