High-NA EUV 光刻技術詳解：2nm以下的「光刻巨獸」

參考來源：ASML 技術簡報 / IMEC 研究報告

High-NA（高數值孔徑）EUV是將數值孔徑從0.33提升至0.55的極紫外光微影技術。它是實現2nm以下（如1.4nm）邏輯晶片量產的關鍵。

為什麼需要它？ 傳統0.33 NA EUV在2nm節點需要複雜的「雙重圖案化」（Double Patterning），導致成本飆升與良率損失。High-NA EUV能實現「單次曝光」，直接降低生產週期時間。

挑戰與進展：ASML的High-NA設備（EXE:5000）體積龐大，單價超過3.5億美元。英特爾已採購首台設備用於18A製程研發，台積電則預計在A16（1.6nm）節點導入。該技術依賴更強大的光源功率與新型光阻劑，是當前設備廠商攻關的重點。