High-NA EUV 微影：2nm以下製程的「光刻巨獸」
High-NA（高數值孔徑）EUV是ASML推出的新一代極紫外光微影設備，數值孔徑從0.33提高到0.55，是實現2nm以下節點單次曝光的關鍵。…
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Chiplet 是什麼？為何它改變了晶片設計模式？
Chiplet（小晶片或晶粒）是一種將大型單晶片拆分為多個較小晶粒，再透過先進封裝整合在一起的設計模式 [citation:1][citation:5…
共封裝光學（CPO）技術詳解：AI資料中心的光速革命
共封裝光學（Co-Packaged Optics, CPO）是將光學引擎和交換器晶片封裝在一起的先進技術，被視為解決AI資料中心頻寬和功耗瓶頸的…
碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）：第三代半導體有何不同？
碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體或寬能隙半導體，它們比傳統矽材料更能承受高壓、高頻和高溫 [citation:1][cit…
HBM4全面解析：下一代高頻寬記憶體的技術革新
HBM4是繼HBM3e之後的下一代高頻寬記憶體，預計2026年開始量產，滿足NVIDIA Rubin平台等新一代AI晶片的需求。 規格升級： 最大頻…
HBM 是什麼？為何 AI 晶片離不開高頻寬記憶體？
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體）是專為高效能運算和 AI 加速器設計的先進記憶體解決方案 [citation:9]。 HBM 的技…
BCD製程是什麼？為何電源管理IC離不開它？
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是一種將雙極晶體管、CMOS和DMOS整合在同一晶片上的製程技術，由意法半導體於1980年代首創。 三種元件…
矽光子與 CPO 是什麼？下世代資料中心的關鍵技術解析
隨著 AI 算力需求暴增，傳統的銅線傳輸已無法滿足超高頻寬和低延遲要求，矽光子和共封裝光學（CPO）因此成為熱門技術 [citation…
晶圓測試（Wafer Probing）是什麼？AI晶片如何通過測試？
晶圓測試（Wafer Probing）是半導體封裝前的重要環節，透過探針卡接觸晶片上的焊墊，檢測電性功能是否正常。 測試流程： 晶圓製…
EUV 微影技術：如何實現 2nm 製程的奈米級圖案？
極紫外光（EUV）微影是實現 7nm 以下先進製程的關鍵設備，目前由荷商 ASML 獨家供應 [citation:1][citation:9]。 什麼是 EUV？ …