三星開發出400層NAND Flash，計劃2027年量產
日期：2026年3月30日 三星電子3月29日宣布，已成功開發出400層第10代V-NAND閃存，計劃2027年投入量產。這將是業界首款超過400層…
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日月光投控高雄廠先進封裝產能擴充，因應AI晶片強勁需求
日期：2026年3月29日 日月光投控3月28日宣布，高雄廠先進封裝產能已啟動第二階段擴充，新增的FOCoS（Fan-Out Chip-on-Substrate…
SK海力士HBM4通過NVIDIA驗證，預計2026年Q3量產出貨
日期：2026年3月29日 SK海力士3月28日宣布，其下一代HBM4記憶體已通過NVIDIA的產品驗證，預計2026年第三季開始量產出貨，將搭載…
日本政府追加2兆日圓補貼Rapidus，加速2奈米量產進程
日期：2026年3月29日 日本經濟產業省3月28日宣布，將追加2兆日圓（約合133億美元）補貼給國家級半導體公司Rapidus，用於支持其…
美光獲美國商務部61億美元晶片補貼，將在紐約與愛達荷擴建先進DRAM產能
日期：2026年3月29日 美國商務部3月28日正式宣布，根據《晶片與科學法案》，將向美光科技提供最高61億美元的直接補貼，用於支持…
日本政府追加2兆日圓補貼Rapidus，加速2奈米量產進程
日期：2026年3月28日 日本經濟產業省3月27日宣布，將追加2兆日圓（約合133億美元）補貼給國家級半導體公司Rapidus，用於支持其…
Rapidus宣布2奈米試產進度超前，目標2027年Q1量產
日期：2026年3月28日 日本國家級半導體公司Rapidus 3月27日宣布，北海道千歲市2奈米晶圓廠試產線設備安裝進度超前，預計2026年7…
三星開發出400層NAND Flash，計劃2027年量產
日期：2026年3月28日 三星電子3月27日宣布，已成功開發出400層第10代V-NAND閃存，計劃2027年投入量產。這將是業界首款超過400層…
台積電高雄廠2奈米製程設備開始進機，預計2026年底量產
日期：2026年3月28日 台積電高雄廠2奈米製程設備3月27日開始進機，預計2026年底前正式進入量產階段。這是台積電繼新竹寶山廠之…
SK海力士確認HBM4 2026下半年量產，頻寬達3.6TB/s
日期：2026年3月27日 SK海力士在3月26日舉行的年度股東大會上宣布，下一代HBM4記憶體將於2026年下半年正式量產，最大頻寬可達3.…