日期：2026年3月29日 日本經濟產業省3月28日宣布，將追加2兆日圓（約合133億美元）補貼給國家級半導體公司Rapidus，用於支持其…

日期：2026年3月29日 美國商務部3月28日正式宣布，根據《晶片與科學法案》，將向美光科技提供最高61億美元的直接補貼，用於支持…

日期：2026年3月28日 日本經濟產業省3月27日宣布，將追加2兆日圓（約合133億美元）補貼給國家級半導體公司Rapidus，用於支持其…

日期：2026年3月28日 日本國家級半導體公司Rapidus 3月27日宣布，北海道千歲市2奈米晶圓廠試產線設備安裝進度超前，預計2026年7…

日期：2026年3月28日 三星電子3月27日宣布，已成功開發出400層第10代V-NAND閃存，計劃2027年投入量產。這將是業界首款超過400層…

日期：2026年3月28日 台積電高雄廠2奈米製程設備3月27日開始進機，預計2026年底前正式進入量產階段。這是台積電繼新竹寶山廠之…

日期：2026年3月27日 SK海力士在3月26日舉行的年度股東大會上宣布，下一代HBM4記憶體將於2026年下半年正式量產，最大頻寬可達3.…

日期：2026年3月27日 三星電子3月26日宣布啟動全球製造業務AI轉型計畫，目標在2030年前將全部工廠升級為「AI驅動工廠」。該計畫…

日期：2026年3月27日 聯電3月26日宣布，受惠於車用電子、物聯網、電源管理IC需求強勁，28奈米製程產能已全面滿載，訂單能見度達…

日期：2026年3月27日 中國工業和信息化部3月26日正式發布《半導體材料國產化行動方案（2026-2030）》，目標到2030年，關鍵半導…