日期：2026年4月8日
SK海力士4月8日宣布，HBM4記憶體量產時程將提前至2026年8月，較原訂計畫提前約2個月。首批產品將供應NVIDIA Rubin平台使用。
SK海力士表示，HBM4採用先進的混合鍵合技術，可將16層DRAM直接堆疊，單顆容量最高達48GB，最大頻寬達3.6TB/s，較HBM3e提升2倍以上。提前量產主要因應NVIDIA Rubin平台的強勁需求。
SK海力士CEO指出，公司已與NVIDIA完成HBM4的最終驗證，產能準備就緒。位於韓國清州的HBM專用產線將於7月開始試產，8月正式量產。
業界分析，SK海力士率先量產HBM4將有助於鞏固其在HBM市場的領先地位。三星電子與美光科技的HBM4產品預計2026下半年陸續通過認證。