美國國防高等研究計劃署（DARPA）與德克萨斯州政府共同投資14億美元，於德州奧斯汀改造德克萨斯電子研究所（TIE）舊廠，建立全球首座專注於3D異構整合（3DHI）技術的實驗晶圓廠。該廠將整合矽、氮化鎵、碳化矽等多元半導體材料，實現晶片層間堆疊與互聯，預計較傳統二維設計性能提升30倍，若採用異質材料更可達100倍躍升。此項目是DARPA「下一代微電子製造計劃」核心，目標推動美國在軍事、AI與高效能計算領域的技術領先，並透過產學合作（如德州科技大學開設3DHI研究生課程）培育相關人才。晶圓廠預計五年內完工，屆時將成為硬體新創企業從原型開發到量產的關鍵平台，解決「實驗室到工廠」的斷層問題。分析認為，此舉凸顯美國政府強化本土先進封裝與異質整合能力，以降低對亞洲供應鏈的依賴 。