HBM4是繼HBM3e之後的下一代高頻寬記憶體，預計2026年開始量產，滿足NVIDIA Rubin平台等新一代AI晶片的需求。
規格升級：
- 最大頻寬：HBM3e約1.0-1.2TB/s → HBM4達3.6TB/s+
- 堆疊層數：12層 → 16層以上
- 單顆容量：24GB → 48GB以上
- 介面寬度：1024位元 → 2048位元
技術變革：
- 將從2.5D封裝轉向3D堆疊，邏輯晶片與HBM直接堆疊
- 混合鍵合（Hybrid Bonding）技術取代微凸塊，互連密度提升
- 更靠近處理器，縮短資料傳輸路徑
市場格局：SK海力士、三星、美光三大廠商持續擴充HBM產能，並將大部分DRAM產能從消費電子轉向AI資料中心應用。HBM供不應求是2026年記憶體價格上漲的主要驅動力。