High-NA EUV 微影：2nm以下製程的「光刻巨獸」

High-NA（高數值孔徑）EUV是ASML推出的新一代極紫外光微影設備，數值孔徑從0.33提高到0.55，是實現2nm以下節點單次曝光的關鍵。

技術原理：NA（數值孔徑）決定光學系統的解析度，NA越高，可刻出的線路越精細。High-NA EUV的解析度可達8nm，支持2nm、1.4nm等先進製程的單次圖案化。

主要挑戰：

• 光源功率需求大幅提升
• 光罩尺寸放大（6英寸到8英寸），需全新傳輸系統
• 需要開發新型高感度光阻劑
• 設備體積龐大，單台價格超過3億美元

導入進度：英特爾是High-NA EUV的首批客戶，用於18A及後續製程；台積電和三星也計劃在2nm以下節點導入。SEMICON Korea 2026的技術論壇中，先進微影是重點議題。