氮化鋁（AlN）是超寬禁帶半導體的重要成員，以其出色的散熱和壓電特性著稱。
特性參數：
- 禁帶寬度高達6.2eV（四代半導體中最寬）
- 擊穿電場強度達15.4MV/cm
- 熱導率高達340W/(m·K)
- 出色的化學和熱穩定性
主要應用：
- 功率模塊散熱基板：氮化鋁陶瓷基板可有效解決SiC、GaN器件的高熱流密度散熱難題
- AI晶片散熱片：單台AI服務器氮化鋁散熱片價值量預計從2024年50美元提升至2031年120美元
- 射頻濾波器：優異的壓電特性使其成為5G/6G SAW濾波器的理想材料
- 深紫外LED：可提升UVC LED發光效率，用於醫療消毒、水處理
郝躍、張進成團隊近期實現氮化鋁層從「多晶島狀」到「單晶薄膜」的突破，使氮化鎵微波功率器件在X波段和Ka波段輸出功率密度提升30-40%。