日期：2026年2月19日
第四代半導體材料氧化鎵近期在中國接連取得技術突破。杭州镓仁半導體首創鑄造法氧化鎵單晶生長技術，推出全球首發8英寸氧化鎵單晶襯底，同時開發出國內首台帶工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備。
富加镓業與中科院上海光機所合作，在國際上首次採用垂直布里奇曼法（VB法）製備出8英寸氧化鎵晶體。富加镓業正建設國內首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產線，預計2026年底實現年產萬片產能。
氧化鎵禁帶寬度達4.9eV，臨界擊穿電場高達8MV/cm，是碳化矽的3倍多，功率損耗僅為碳化矽的1/7、矽的1/49，在新能源車快充、光伏逆變器等領域應用潛力巨大。