美光HBM3E記憶體送樣！挑戰SK海力士龍頭地位

美光科技宣布，其HBM3E高頻寬記憶體已送樣給輝達、AMD等大廠測試，效能較前代提升50%，功耗降低20%。此產品採用10奈米級製程，堆疊層數達12層，單顆容量24GB。美光預計第三季開始量產，目標2026年市占率達30%。此舉將打破SK海力士在HBM市場的壟斷，韓國業界已組成聯盟反制 。