ASML正式交付首台High-NA EUV光刻機至台積電南科廠，支援1.4奈米以下制程研發。此機型光罩尺寸擴大至950mm×1,050mm，可同時曝光3層結構。內部文件顯示，台積電將於Q3完成1.4奈米試產線建置，目標將3奈米家族良率從85%提升至95%，力拚三星1.4奈米制程 。
ASML正式交付首台High-NA EUV光刻機至台積電南科廠，支援1.4奈米以下制程研發。此機型光罩尺寸擴大至950mm×1,050mm，可同時曝光3層結構。內部文件顯示，台積電將於Q3完成1.4奈米試產線建置，目標將3奈米家族良率從85%提升至95%，力拚三星1.4奈米制程 。