極紫外光（EUV）微影是實現 7nm 以下先進製程的關鍵設備，目前由荷商 ASML 獨家供應 [citation:1][citation:9]。
什麼是 EUV？
傳統深紫外光（DUV）使用 193nm 波長的光源，要刻出更小的電晶體需要多重圖案化，步驟繁雜、成本高。EUV 使用 13.5nm 波長的極紫外光，單次曝光就能刻出更精細的線路，大幅簡化製程。
High-NA EUV 是什麼？
2026 年，ASML 開始出貨新一代 High-NA（高數值孔徑）EUV 設備，數值孔徑從 0.33 提高到 0.55，可支援 2nm 以下節點的單次曝光圖案化 [citation:1]。
High-NA EUV 的挑戰在於：
- 光源功率：需要更高功率的雷射產生足夠的光強度
- 光罩尺寸：光罩尺寸放大，需要全新的傳輸系統
- 光阻劑：需要開發新的光阻材料
英特爾是 High-NA EUV 的首批客戶，用於 18A 及後續製程；台積電和三星也計劃在 2nm 以下節點導入 [citation:1]。