先進封裝入門:CoWoS、InFO、SoIC 有什麼不同?

隨著摩爾定律放緩,先進封裝已成為延續晶片效能提升的關鍵技術 [citation:3][citation:5]。台積電的 3D Fabric 平台提供三種主要先進封裝技術,各有不同定位。

CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate)

CoWoS 是將多顆晶片並排放置在矽中介層上,再連接到基板的 2.5D 封裝技術。它的特點是整合能力強、互連密度高,適合需要大量記憶體和運算晶片整合的 AI 加速器。NVIDIA 的 H100、B200 均採用 CoWoS 封裝 [citation:5]。台積電 CoWoS 產能持續擴充,2026 年底預計達 12.5 萬片/月 [citation:5]。

InFO(Integrated Fan-Out)

InFO 省略了矽中介層,將晶片直接嵌入模塑料中,再重佈線層連接。它的優勢是厚度更薄、成本更低,主要用於行動裝置晶片。蘋果 A 系列處理器多年來採用 InFO 封裝 [citation:5]。

SoIC(System-on-Integrated-Chips)

SoIC 是 3D 堆疊技術,直接將晶片垂直堆疊,透過微凸塊或無凸塊直接鍵合。它的特點是垂直互連密度最高,可將邏輯晶片和記憶體堆疊在一起,縮短訊號傳輸距離。AMD 的 MI300 處理器即採用 SoIC 技術堆疊多顆晶片 [citation:5]。