什麼是 GAA 電晶體？
GAA（Gate-All-Around，全環繞閘極）是繼 FinFET（鰭式場效電晶體）之後的新一代電晶體架構，也是台積電、三星、英特爾邁向 2nm 製程的關鍵技術 [citation:1][citation:5]。
在 FinFET 架構中，閘極從三面包覆通道；而在 GAA 架構中，通道變成水平奈米片或奈米線，閘極從四面八方完全包覆通道。這種設計能更有效地控制漏電，提升電晶體的開關特性 [citation:5]。
GAA 的主要優勢
- 更低漏電：四面包覆的閘極可將通道完全耗盡，待機功耗降低約 75% [citation:5]
- 更高驅動電流：相同電壓下可提供更高電流，提升晶片運算速度
- 更好的微縮能力：可持續微縮至 1nm 以下節點
台積電 2nm 製程採用 GAA 奈米片架構，預計 2026 年量產，相同功耗下效能提升 15%，或相同效能下功耗降低 24%~35% [citation:5]。三星已在 2022 年領先量產 3nm GAA 製程，英特爾則在 18A 製程中採用類似技術並命名為 RibbonFET [citation:5]。