日期：2026年2月13日
美光科技2月12日宣布，率先同業開始量產1γ奈米（即第五代10奈米級）DRAM產品。該製程採用極紫外光（EUV）微影技術，使記憶體密度提升35%，功耗降低25%，首批產品將用於AI伺服器與高階智慧型手機。
美光總裁表示：「這是記憶體產業的重要里程碑，我們領先競爭對手導入EUV於DRAM量產，展現美光在製程技術上的領先地位。」據悉，美光位於台灣桃園的12吋晶圓廠將負責1γ奈米DRAM的初期產能，未來將逐步轉移至日本廣島廠。
分析師指出，隨著AI應用對記憶體頻寬與容量需求暴增，率先量產先進DRAM將為美光帶來顯著的競爭優勢，有助於提升其在伺服器DRAM市場的佔有率。