極紫外光（EUV）微影是實現先進製程的關鍵設備。從0.33NA到High-NA（高數值孔徑），EUV技術正持續演進以支援2nm以下節點。
EUV技術原理
傳統深紫外光（DUV）使用193nm波長的光源，要刻出更小的電晶體需要多重圖案化。EUV使用13.5nm波長的極紫外光，單次曝光就能刻出更精細的線路。
0.33NA EUV
第一代EUV設備的數值孔徑（NA）為0.33，可支援7nm至3nm節點的單次曝光。ASML的NXE系列是0.33NA EUV的代表產品，已廣泛應用於台積電、三星、英特爾的先進製程產線。
High-NA EUV
High-NA EUV的數值孔徑提高到0.55，解析度可達8nm，支援2nm以下節點的單次曝光。主要挑戰包括：
- 光源功率需求大幅提升
- 光罩尺寸放大（6英寸到8英寸），需全新傳輸系統
- 需要開發新型高感度光阻劑
- 設備體積龐大，單台價格超過3億美元
導入時程
英特爾是High-NA EUV的首批客戶，用於18A及後續製程；台積電計劃在A16（1.6nm）製程導入，預計2027年量產；三星計劃在SF1.4（1.4nm）製程導入。