3D IC封裝技術是將多顆晶片垂直堆疊的先進封裝方案，可大幅提升晶片整合密度與效能。隨著AI晶片需求爆發，3D IC封裝技術正加速演進。
TSV（矽通孔）技術
TSV是3D IC封裝的基礎技術，透過在晶片中製作垂直導電通道，連接上下層晶片。TSV技術已廣泛應用於HBM（高頻寬記憶體）的堆疊，可實現12層DRAM的垂直互連。
TSV的製程包括：通孔蝕刻、絕緣層沉積、阻障層與種子層沉積、電鍍填充、化學機械拋光等步驟。通孔直徑通常為5-10微米，深度比可達10:1。
混合鍵合技術
混合鍵合是下一代3D IC封裝的關鍵技術，透過銅對銅直接鍵合，無需微凸塊。技術優勢包括：
- 互連間距可縮小至10微米以下
- 銅直接鍵合，無寄生電容，阻抗更低
- 16層堆疊厚度與12層微凸塊堆疊相當
- 散熱性能優於微凸塊方案
應用趨勢
HBM4將率先導入混合鍵合技術，實現16層DRAM堆疊。邏輯晶片與記憶體堆疊的3D IC方案（如台積電SoIC）也採用混合鍵合，預計2027年開始量產。