HBM4是下一代高頻寬記憶體，預計2026年下半年量產。其核心技術突破來自混合鍵合（Hybrid Bonding）的導入。
什麼是混合鍵合？
混合鍵合是一種將晶片或晶圓直接堆疊的互連技術，透過銅對銅直接鍵合，而非傳統的微凸塊連接。該技術在晶片表面同時形成介電層與銅接點，經表面活化處理後，在室溫下完成預鍵合，再經高溫退火使銅原子相互擴散，形成牢固的電氣連接。
HBM3e vs HBM4 規格對比
| 規格 | HBM3e | HBM4 |
|---|---|---|
| 最大頻寬 | 1.0-1.2 TB/s | 3.6 TB/s+ |
| 堆疊層數 | 12層 | 16層 |
| 單顆容量 | 24GB | 48GB+ |
| 互連技術 | 微凸塊 | 混合鍵合 |
| 功耗 | 基準 | 降低30-40% |
混合鍵合的優勢
- 更細間距：可實現10微米以下的互連間距
- 更低阻抗：銅對銅直接鍵合，無凸塊寄生電容
- 更薄堆疊：16層堆疊厚度與12層HBM3e相當
- 更好散熱：銅熱導率高，散熱性能優異
SK海力士將率先在HBM4導入混合鍵合，三星與美光也計劃跟進。混合鍵合設備市場預計從2025年的3億美元成長至2030年的20億美元。