GAA（全環繞閘極）電晶體是2奈米以下製程的關鍵技術，台積電、三星、英特爾均採用此架構，但技術細節略有不同。
GAA vs FinFET
在FinFET架構中，閘極從三面包覆通道；而在GAA架構中，通道變成水平奈米片，閘極從四面八方完全包覆通道。這種設計能更有效地控制漏電，提升電晶體的開關特性。
三大廠商技術比較
| 廠商 | 技術名稱 | 量產時程 | 奈米片數量 |
|---|---|---|---|
| 台積電 | GAA奈米片 | 2026年H2 | 3片 |
| 三星電子 | MBCFET | 2026年 | 4片 |
| 英特爾 | RibbonFET | 2026年 | 4片 |
台積電2奈米技術特色
台積電2奈米採用GAA奈米片架構，搭配背面供電網絡（BSPDN）。相較於3奈米，在相同功耗下效能提升15%，或相同效能下功耗降低24-35%。台積電也導入新一代High-NA EUV微影技術，簡化製程步驟。
三星MBCFET特色
三星的MBCFET（Multi-Bridge Channel FET）採用4片奈米片設計，奈米片寬度可調，可針對不同應用優化功耗與效能平衡。三星於2022年領先量產3奈米GAA，2奈米版本預計2026年量產。
英特爾RibbonFET特色
英特爾的RibbonFET採用4片奈米片設計，搭配PowerVia背面供電技術，將電源網絡移至晶片背面。英特爾18A（1.8nm）製程已於2025年完成開發，2026年量產。