HBM4是繼HBM3e之後的下一代高頻寬記憶體，預計2026年下半年量產，由SK海力士領先導入。以下解析其核心技術突破。
混合鍵合（Hybrid Bonding）技術
傳統HBM使用微凸塊（Micro-bump）連接各層DRAM，隨著層數增加，堆疊高度與熱阻問題日益嚴峻。HBM4導入混合鍵合技術，將銅接點直接鍵合，無需凸塊，可實現更細間距（10微米以下）、更低阻抗、更薄堆疊。
SK海力士的混合鍵合技術可將16層DRAM堆疊至600微米以內，相較於傳統12層HBM3e的720微米，厚度不增反減，大幅改善散熱性能。
頻寬與容量升級
- 最大頻寬：HBM3e約1.0-1.2TB/s → HBM4達3.6TB/s+
- 堆疊層數：12層 → 16層以上
- 單顆容量：24GB → 48GB以上
- 介面寬度：1024位元 → 2048位元
HBM4將首先應用於NVIDIA Rubin平台，預計2027年開始大規模出貨。