隨著摩爾定律放緩，先進封裝已成為延續晶片效能提升的關鍵技術。台積電的3D Fabric平台提供三種主要先進封裝技術，各有不同定位。
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）
CoWoS是將多顆晶片並排放置在矽中介層上，再連接到基板的2.5D封裝技術。它的特點是整合能力強、互連密度高，適合需要大量記憶體和運算晶片整合的AI加速器。NVIDIA的H100、B200均採用CoWoS封裝。台積電CoWoS產能持續擴充，2026年底預計達12.5萬片/月。
InFO（Integrated Fan-Out）
InFO省略了矽中介層，將晶片直接嵌入模塑料中，再重佈線層連接。它的優勢是厚度更薄、成本更低，主要用於行動裝置晶片。蘋果A系列處理器多年來採用InFO封裝。
SoIC（System-on-Integrated-Chips）
SoIC是3D堆疊技術，直接將晶片垂直堆疊，透過微凸塊或無凸塊直接鍵合。它的特點是垂直互連密度最高，可將邏輯晶片和記憶體堆疊在一起，縮短訊號傳輸距離。AMD的MI300處理器即採用SoIC技術堆疊多顆晶片。