日期：2026年3月30日
三星電子3月29日宣布，已成功開發出400層第10代V-NAND閃存，計劃2027年投入量產。這將是業界首款超過400層的3D NAND產品，標誌著存儲密度與性能的新里程碑。
三星表示，新款V-NAND採用先進的晶圓鍵合技術，將存儲單元陣列與外圍電路分別製造後再鍵合，可實現更高的層數堆疊與更快的讀寫速度。相較於第9代V-NAND，400層V-NAND的位元密度提升超過50%，功耗降低30%。
三星電子存儲事業部總裁表示，AI應用對存儲容量與速度的要求持續提升，高層數NAND將成為大容量SSD的主流。三星將持續推進層數微縮，目標2030年實現1000層堆疊。
與此同時，SK海力士也宣布開發出300層以上的NAND產品，3D NAND的層數競賽進入新階段。