隨著摩爾定律放緩，先進封裝已成為延續晶片效能提升的關鍵路徑。混合鍵合（Hybrid Bonding）技術作為3D封裝的終極互連方案，正逐步從實驗室走向規模化量產。
什麼是混合鍵合？混合鍵合是一種將晶片或晶圓直接堆疊的互連技術，透過銅對銅直接鍵合，而非傳統的微凸塊連接。該技術在晶片表面同時形成介電層與銅接點，經表面活化處理後，在室溫下完成預鍵合，再經高溫退火使銅原子相互擴散，形成牢固的電氣連接。
技術優勢：混合鍵合可實現10微米以下的極細間距，互連密度較微凸塊技術提升100倍以上，顯著縮短晶片間的訊號傳輸距離，降低延遲與功耗。在HBM4的16層堆疊中，混合鍵合取代傳統微凸塊，可使記憶體頻寬提升至3.6TB/s以上，功耗降低30-40%。
應用進展：台積電的SoIC（System-on-Integrated-Chips）技術採用混合鍵合，已用於AMD MI300處理器的3D堆疊；三星與SK海力士也計劃在HBM4中導入混合鍵合，預計2026年下半年量產。混合鍵合設備市場預計從2025年的3億美元成長至2030年的20億美元，成為先進封裝領域增長最快的細分市場。