美國科技公司IBM與半導體設備大廠泛林集團近日宣布簽署一項為期五年的聯合研發協議，雙方將合作開發面向1奈米以下邏輯晶片的材料與製程技術，並以高數值孔徑（High-NA）極紫外線（EUV）光刻技術為核心。這項合作將在美國紐約州奧爾巴尼的NY Creates奈米技術綜合體內、IBM研究中心進行，被視為推動下一代半導體製程的重要一步 [citation:3]。
雙方將利用泛林集團多項設備與技術平台進行製程驗證與開發，包括Kiyo與Akara刻蝕平台、Striker與ALTUS Halo沉積系統，以及Aether乾式光阻技術。與傳統碳基光阻相比，Aether所使用的金屬有機化合物對EUV光的吸收能力可提高約3至5倍，有助於在先進節點維持單次曝光圖案化 [citation:3]。
IBM與泛林集團已有超過十年的合作歷史，雙方曾共同參與7奈米製程技術開發、奈米片電晶體架構設計，以及早期EUV製程整合。2021年，IBM正是在這一長期合作基礎下，宣布成功研發全球首個2奈米節點晶片 [citation:3]。