數據來源：TrendForce、西南證券
根據集邦諮詢最新產業調查，2026年第一季度存儲芯片價格漲幅全面上修。常規DRAM合約價較上一季度漲幅從年初預測的55-60%上調至90-95%，NAND Flash合約價漲幅從33-38%上修至55-60% 。
2026年Q1存儲價格漲幅對比
| 產品類別 | 年初預測漲幅 | 最新預測漲幅 |
|---|---|---|
| 常規DRAM | 55-60% | 90-95% |
| NAND Flash | 33-38% | 55-60% |
西南證券分析指出，需求爆發與供給剛性共同推動存儲價格持續上漲，存儲迎來超級週期 。AI大模型技術迭代升級帶來海量數據存儲需求，而海外三大原廠將有限產能向高利潤HBM和DDR5產品傾斜，對消費級存儲芯片產能造成嚴重擠壓，供需缺口持續擴大 。
集邦諮詢估算，2026年記憶體產值將達5516億美元，晶圓代工產值2187億美元，前者規模超後者2倍以上，存儲成為半導體產業成長的核心引擎 。