隨著第三代寬禁帶半導體向高功率密度、高溫應用快速演進，傳統錫膏焊接技術難以勝任175℃以上的服役溫度。銀漿燒結雖能實現高溫可靠連接，但高昂的材料成本限制了其大規模應用。銅燒結技術應運而生，被視為功率半導體封裝的下一站[citation:8]。
技術挑戰：銅的導電導熱性能與銀相近，成本卻只有銀的幾十分之一，是理想的替代材料。然而，銅顆粒極易氧化的特性成為技術瓶頸——氧化膜會嚴重削弱其導電導熱性能和連接強度，導致產品性能波動[citation:8]。
突破性進展：芯異質聯科技有限公司依託哈爾濱理工大學，成功研發出自還原型銅燒結漿料。研發團隊摒棄傳統的「跟隨式」思路，另闢蹊徑獨創「助劑載體自還原+低溫致密化燒結機理」，歷經上千次實驗，終於攻克了銅燒結的核心技術難點[citation:8]。
應用前景：該技術不僅能實現「晶片級+系統級」多場景全銅燒結應用，其獨有的低溫低壓燒結技術還能有效避免功率模塊分層，大幅提升散熱能力。更重要的是，企業可在不更換現有生產設備的前提下實現無縫對接，節省巨額改造成本[citation:8]。