鐵電NAND（FeNAND）是結合鐵電存儲器（FeRAM）的非揮發特性與NAND Flash的高密度優勢的新型存儲技術，被視為突破傳統NAND物理極限的潛在路徑[citation:5]。
技術原理：傳統NAND Flash採用浮柵電荷存儲方式，面臨氧化層損耗、電荷洩漏等可靠性挑戰，堆疊層數越高，工藝複雜度與成本急遽上升。鐵電NAND則利用鐵電材料的極化翻轉來存儲數據，無需電荷注入，從根本上消除了電荷洩漏問題[citation:5]。
效能革命：三星電子正將鐵電材料作為未來實現1000層堆疊的核心技術進行重點攻關。據報導，鐵電NAND最高可降低96%的功耗，同時讀寫速度較傳統NAND提升數倍。這對於AI資料中心日益嚴峻的電力挑戰具有重要意義[citation:5]。
產業動態：英偉達已加入三星電子的研發行列，共同開發鐵電NAND技術。英偉達計劃在其下一代AI加速器「Vera Rubin」中引入名為「推理上下文內存存儲」（ICMS）的新型NAND，據估算僅此一項所需的NAND將佔全球總量的9.3%[citation:5]。