隨著半導體製程邁向2奈米以下節點，高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）微影技術成為量產的關鍵。然而，High-NA EUV對光阻材料提出了更嚴苛的要求，傳統碳基光阻正面臨靈敏度不足的挑戰。乾式光阻（Dry Resist）技術應運而生，成為解決這一難題的突破性方案[citation:3]。
乾式光阻的技術原理：與傳統液態旋塗式光阻不同，乾式光阻採用金屬有機化合物作為感光材料，透過化學氣相沉積（CVD）或原子層沉積（ALD）方式均勻塗布在晶圓表面。泛林集團（Lam Research）開發的Aether乾式光阻技術，採用特殊金屬有機化合物，對13.5nm EUV光的吸收能力比傳統碳基光阻提高約3至5倍[citation:3]。
曝光效率的革命性提升：更高的光吸收率意味著每片晶圓所需的曝光劑量更低。在High-NA EUV設備光強度受限的情況下，乾式光阻可在相同曝光時間內完成更多晶圓的圖案化，顯著提升產能。同時，較低劑量也減少了光學系統的熱負荷，有助於維持成像穩定性[citation:3]。
應用前景：IBM與泛林集團近期宣布為期五年的聯合研發協議，將在新一代1奈米以下製程中整合乾式光阻技術與High-NA EUV設備。研究人員認為，乾式光阻在先進節點維持單次曝光圖案化方面具有關鍵優勢，可大幅簡化製程步驟、降低製造成本[citation:3]。