2026年第一季度，DRAM合約價格較上一季度漲幅高達90-95%，NAND Flash漲幅達55-60% [citation:3]。這波漲價背後，是HBM與常規DRAM之間的「產能競賽」。
產能配置的零和博弈：HBM的製造需要佔用大量DRAM產能。一顆HBM3e需要堆疊8-12層DRAM晶粒，且良率低於常規DRAM。以晶圓面積計算，生產HBM所消耗的產能是同等容量常規DRAM的3-5倍。隨著AI需求爆發，存儲廠商將大量產線用於HBM生產，導致DDR4、DDR5等常規DRAM產能緊缺 [citation:3]。
AI應用的重心轉移：平安證券報告指出，AI應用從大型語言模型訓練延伸至推理，推動CSP數據中心建置重心從AI Server轉向General Server，存儲器採購重心也從HBM3e、LPDDR5X等轉向各類容量的RDIMM，帶動常規DRAM合約價大幅上漲 [citation:3]。
這種由AI需求主導的存儲週期，被認為比2017-2019年的超級週期更為全面，存儲器原廠掌握了極強的定價主導權 [citation:3]。