2026年2月，全球光刻機龍頭宣布其下一代High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）設備已準備就緒，可供應晶片製造商用於大規模量產，這對半導體行業而言是一個重大進展 [citation:8]。
量產就緒的三大指標：數據顯示，High-NA EUV的停機時間目前已大幅縮短，已生產了50萬片餐盤大小的矽晶圓，並且能夠繪製出構成晶片電路的足夠精確的圖案。綜合這三項數據，表明這些設備已準備好投入製造商使用 [citation:8]。
High-NA EUV的數值孔徑從0.33提高到0.55，解析度可達8nm，支持2nm、1.4nm等先進製程的單次圖案化，省去了晶片製造過程中的一些昂貴且複雜的步驟，從而幫助晶片製造商生產出更強大、更高效的晶片 [citation:8]。
此次光刻機技術的突破進一步夯實了半導體產業鏈的「硬實力」，不僅是設備環節的里程碑，更將為AI晶片、高性能計算等領域的創新注入強勁動能 [citation:8]。