高頻寬記憶體（HBM）已成為AI晶片的關鍵元件。隨著AI模型規模持續擴大，記憶體頻寬與容量需求不斷攀升。
HBM世代演進：HBM3e提供1.0-1.2TB/s頻寬，已廣泛應用於NVIDIA H200/B200等AI晶片；HBM4預計2026年下半年量產，最大頻寬達3.6TB/s以上，將採用混合鍵合（Hybrid Bonding）技術，可將16層DRAM直接堆疊，單顆容量最高達48GB [citation:9]。
HBF新標準：2026年2月，SK海力士與閃迪（SanDisk）聯合舉辦HBF規格標準化聯盟啟動會，正式發布面向AI推理時代的下一代記憶體解決方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球標準化戰略。雙方將依託OCP框架，設立專項工作組，推動HBF成為產業通用標準 [citation:9]。
HBF的出現標誌著AI記憶體市場從DRAM向Flash領域延伸，為AI推理工作負載提供更高容量、成本更優的解決方案。