ASML新一代EUV光刻機進駐台積電!3奈米良率衝刺95%
ASML正式交付首台High-NA EUV光刻機至台積電南科廠,支援1.4奈米以下制程研發。此機型光罩尺寸擴大至950mm×1,050mm,可同時曝光3層結構。內部文件顯示,台積電將…
ASML正式交付首台High-NA EUV光刻機至台積電南科廠,支援1.4奈米以下制程研發。此機型光罩尺寸擴大至950mm×1,050mm,可同時曝光3層結構。內部文件顯示,台積電將…
美光公開全球首款1β奈米製程LPDDR6X記憶體,單顆容量24GB,速度達12GB/s,功耗降低30%。首批產品將供應蘋果iPhone 17 Pro、三星Galaxy S25 Ultra等旗艦機種。供應…
索尼推出「Polarion」光子積體電路感測器,可在單一晶片整合光電轉換與AI運算模組。測試顯示,在-40°C至125°C極端環境下,車用攝影頭的影像誤差率低於0.01%。此技…
亞馬遜宣布Graviton5伺服器晶片正式進入試產階段,採用台積電N3P製程與Chiplet架構,單晶片算力達1,200億次浮點運算。內部測試顯示,在AWS EC2實例中,處理AI推論…
特斯拉自動駕駛部門洩露文件顯示,下一代FSD晶片將捨棄現有ARM架構,改採自研RISC-V核心。新設計可降低對英特爾、輝達的依賴,同時支援車雲協同計算。業界預測,…
美國記憶體廠商Rambus發表全球首款3D堆疊GDDR7晶片,單顆頻寬達2.1TB/s,功耗較HBM2E降低35%。此技術結合TSV(矽通孔)與混合鍵合工藝,可疊加八層記憶體晶粒,目…
台積電2奈米(N2)制程良率已提升至60%,預計2025年底進入量產階段,首波產能將優先供應蘋果A19處理器及英偉達Blackwell架構GPU。該制程採用GAAFET(環繞柵極)技…
日本半導體設備大廠Tokyo Electron宣布,將在印度班加羅爾興建第二座研發中心,專注於3D封裝設備與GAA製程技術開發,總投資額達1,200億日圓。該中心將與當地ISRO…
塔塔集團宣布將在古吉拉特邦興建晶圓廠與封裝測試中心,首期投資20億美元用於28奈米成熟製程,後續擴展至14奈米。該集團已與蘋果簽訂意向書,承諾2027年供應iPhon…
ASML正式將首台0.55NA高解析度EUV微影機交付給Intel,用於2奈米以下制程研發。該機台採用多光束干涉技術,解析度達8nm,單台價格高達3.5億美元。業界預測,Intel…